MX29GL256FHT2I-90Q旺宏原装批发

MX25R6435F：
Macronix 串行多 I/O （MXSMIO™） 闪存不仅提供单 I/O，还提供多 I/O 接口。MX66xxx35 或 MX25xxx33/35/39/73/75 系列提供双 I/O 或四 I/O 操作，可将消费类应用的系统读取性能提高一倍或四倍。
MXIC/旺宏部分型号：
MX25R8035FM1IH1 MX25R512FM1IL0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IH0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IL0
MX25R8035FM2IH0 MX25R6435FZAIH0
MX25R8035FM2IL0 MX25R6435FZAIL0
MX25R8035FZUIH1 MX25R6435FZNIL0
我们只做原装，欢迎咨询合作！

Macronix MX25R 串行 NOR 闪存是一系列低功耗/宽范围 Vcc 内存产品，适用于各种物联网和其他节能应用，如可穿戴设备和移动设备。新的MX25R产品系列具有低功耗，比传统产品低60%，以及宽范围的Vcc（1.65V-3.6V），可延长电池寿命。
MXIC/旺宏部分型号：
MX25R6435FM2IH0
MX25R6435FM2IL0
MX25R6435FZAIH0
MX25R6435FZAIL0
MX25R6435FZNIL0
MX25L12873FM2I-10G
MX25L1605DM2I-12G
MX25L3205DM2I-12G
MX25L3236FM2I-08G
MX25L3233FZNI-08G
MX25L4005AM2C-12G
MX25L4005AMC-12G
MX25L4006EM1I-12
MX25L4006EM1L-12G
MX25L5121EMC-20G
MX25L512COI-12G
MX25L512MC-12G
MX25L6405DMI-12G
MXIC/旺宏常用型号大量原装现货，欢迎咨询合作！

宽范围 Vcc 闪存主要特点：
标准串行 NOR 闪存接口
低功耗
低深度掉电电流 < 0.5uA
低有源电流 < 4mA
宽范围电压调节 （1.65V-3.6V）
易失性位，可在低功耗模式和模式之间切换
支持多 I/O 和挂起/恢复
ID 和安全的 OTP 支持
小型尺寸：WSON、USON、WLCSP、KGD
MXIC/旺宏部分型号：
MX25L8006EM2I
MX25L8006EM2I-12G
MX25L8006EM2I-12G-TR
MX25L8006EZNI-12G
MX25L8006EZUI-12G
MX25L8035EM2I-10G
MX25LM51245GMR00
MX25R1035FM1IL0
MX25R1035FZUIL0
MX25R1635FM1IL0
MX25R1635FM2IH1
MX25R1635FM2IL0
MX25R1635FZNIH0
MX25R1635FZUIH0
MX25R1635FZUIL0
MX25R2035FM1IH0
MXIC/旺宏常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！

旺宏电子是少数能够提供从512Kbit 至 256Mbit 完整Serial Flash系列产品的公司，我们并拥有极小尺寸的Flash产品，可充分满足可携式电子产品日趋轻薄短小化的需求。在ROM唯读记忆体部份，我们已开始量产65奈米XtraROM®产品。旺宏电子也提供良裸晶粒(Known Good Die, KGD)产品，以供系统级封装(System In Package, SIP)的需求。

旺宏电子每年约投资营业额的10-12%于研发工作，历年发表的技术论文，持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子目前拥有超过四千项国际关键技术及专利等智慧财产权，并与高科技业界领导厂商成立技术合作联盟，共同进行相变化记忆体技术的研究；另外，旺宏电子也发表首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS™论文，皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。

旺宏电子目前拥有一座十二吋晶圆厂(晶圆五厂)、一座八吋晶圆厂(晶圆二厂)及一座六吋晶圆厂(晶圆一厂)，晶圆五厂及晶圆二厂主要生产制造旺宏自有非挥发性记忆体产品，晶圆一厂则以利基型逻辑产品的晶圆代工业务为主。