BSR202NL6327HTSA1，英飞凌MOS场效应管原装

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUT240N08S5N019
IAUT260N10S5N019
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N014
IAUT300N10S5N015
IGT40R070D1E8220
IGT60R070D1ATMA4
IPA083N10N5XKSA1
IPA50R140CPXKSA1
IPA50R199CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1
IPA50R280CEXKSA2
IPA50R350CPXKSA1
IPA50R380CEXKSA2
IPA50R500CEXKSA2
IPA50R520CPXKSA1
IPA50R650CEZKSA2
IPA50R800CEXKSA2
IPA50R950CEXKSA2
IPA60R080P7XKSA1
芯片提供商，每一片都是原装，让您用的放心，助力贵公司发展！

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPW32N50C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
SPW47N65C3FKSA1
2N7002H6327XTSA2
AUIRF1404ZSTRLCT
AUIRF1405ZS-7TRL
AUIRFS3004-7P-IR
AUIRFS3006-7P-IR
AUIRFSA8409-7TRL
BSC009NE2LSCT-ND
BSC010N04LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1
BSC011N03LSATMA1
BSC014N04LSATMA1
BSC014N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1
BSC019N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1
BSC028N06NSATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！